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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
比较
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
总分
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
总分
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
51
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
36
读取速度,GB/s
9.8
15.8
写入速度,GB/s
8.1
12.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2208
3099
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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