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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
比较
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
总分
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
总分
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
48
52
左右 8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
20.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,034.7
10.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
52
读取速度,GB/s
4,295.1
20.5
写入速度,GB/s
2,034.7
10.1
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
650
2472
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
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