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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
比较
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
总分
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
37
左右 -32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
11.4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.6
7.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
28
读取速度,GB/s
11.4
18.2
写入速度,GB/s
7.4
14.6
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1683
3546
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB RAM的比较
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-010.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
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