RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
62
Около -51% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
41
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
12.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link