RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
23.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.7
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
23.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
19.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4243
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link