RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
62
Около -121% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
28
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.3
Скорость записи, Гб/сек
5.9
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3889
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8C
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link