RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link