RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
62
Около -148% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
25
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3803
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link