RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3258
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link