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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
62
En -107% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
5.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
62
30
Velocidad de lectura, GB/s
7.4
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.9
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1612
3258
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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