RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
62
77
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость записи
5.9
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
77
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
1440
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link