Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    62 left arrow 77
    Rund um 19% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 5.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.1 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 10600
    Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    62 left arrow 77
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 13.1
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 5.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1612 left arrow 1440
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RAM 1
RAM 2

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