Comparação RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Pontuação geral

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

62 77

Por volta de 19% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

5.9 5.5

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

13.1 7.4

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 10600

Por volta de 1.81 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

1612 1440

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns