RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston KHX2666C16/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link