RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Kingston KHX2666C16/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
62
Около -107% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link