RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3208
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link