RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2382
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
INTENSO M418039 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link