RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
62
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
29
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link