RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
62
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.2
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
29
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link