RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
62
Por volta de -114% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
14.2
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.9
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
29
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
14.2
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.9
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2909
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB Comparações de RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link