RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
62
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
33
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3116
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6AFR8C-PB 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link