Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB

Gesamtnote
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Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB

Unterschiede

Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 62
    Rund um -88% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.2 left arrow 7.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    12.0 left arrow 5.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 10600
    Rund um 2.01 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    62 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    7.4 left arrow 16.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    5.9 left arrow 12.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1612 left arrow 3116
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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