RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
15.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2462
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link