RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
62
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.5
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
37
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.9
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link