RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
62
Por volta de -68% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.5
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
37
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
13.5
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
8.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link