RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link