RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
62
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.5
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
37
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link