RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
62
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
36
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
3351
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Сравнения RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link