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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
総合得点
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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考慮すべき理由
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
36
62
周辺 -72% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
19.4
7.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.9
5.9
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
62
36
読み出し速度、GB/s
7.4
19.4
書き込み速度、GB/秒
5.9
13.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3351
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