RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
62
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
36
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
3351
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Jinyu 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link