RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
28
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.8
Скорость записи, Гб/сек
7.1
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology D12.2755BS.001 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link