RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
28
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
20
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
18.4
Скорость записи, Гб/сек
7.1
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3540
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link