RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
10.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
3540
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link