RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
35
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.2
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
3242
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link