RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB против Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
31
Около 10% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.1
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
10.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
28
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
11.7
Скорость записи, Гб/сек
7.1
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1668
1763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Corsair CMX16GX3M2A1333C9 8GB
Kingston ACR16D3LU1KBG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link