RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
31
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
6.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.7
10.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
8500
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
31
Prędkość odczytu, GB/s
10.9
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
6.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
17000
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1668
1763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2933C17S4/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link