Confronto tra le RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB vs Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Punteggio complessivo

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

28 31

Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

7.1 6.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

11.7 10.9

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 8500

Intorno 2 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C-G7 2GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1066 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

1668 1763

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns