RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
26
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
22
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.5
Скорость записи, Гб/сек
7.4
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
2960
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link