RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
66
Около 55% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
66
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
17.0
Скорость записи, Гб/сек
5.6
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2063
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link