RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link