RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.6
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3043
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X2G1600C8 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link