RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.6
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link