RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
30
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
20
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
19.7
Скорость записи, Гб/сек
5.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
3473
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800G1 2GB
Corsair CM2X1024-6400C5DHX 1GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link