RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около 12% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
8.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.9
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
34
Скорость чтения, Гб/сек
8.8
15.6
Скорость записи, Гб/сек
5.6
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2812
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-H9 4GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link