RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB против Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
90
Около -210% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.2
1,140.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
90
29
Скорость чтения, Гб/сек
2,699.0
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,140.4
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
436
3629
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMP125S6EFR8C-Y5 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link