RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
65
Около -110% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
31
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
11.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2477
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905678-007.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link