RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
2477
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link