RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
15
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
61
65
Около -7% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
61
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
15.0
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
2028
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2606U2S 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Kingston 9905471-074.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link