RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
65
Около -132% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
28
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.1
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 78.D2GF2.4010B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link