RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
5300
Около 3.62 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
19200
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3129
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link