RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link