RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
19.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.3
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
19.5
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3718
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link