RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
16.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
65
Около -171% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.1
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
24
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
16.8
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3009
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link