RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3225
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link