RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
65
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.8
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
35
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3225
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avant Technology J644GU44J9266NF 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link