RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB против Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
65
Около -141% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.6
1,592.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
65
27
Скорость чтения, Гб/сек
3,580.8
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,592.0
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
572
3615
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link